Toshiba TTA1452B,S4X(S PNP Transistor, -12 A, -80 V, 3-Pin TO-220SIS
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-80 V
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V
Maximum Operating Frequency
50 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
10 x 4.5 x 15mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
Japan
Detalii produs
PNP Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,60
€ 1,52 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,20
€ 1,839 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 7,60
€ 1,52 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,20
€ 1,839 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,52 | € 7,60 |
| 25+ | € 1,28 | € 6,40 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-80 V
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V
Maximum Operating Frequency
50 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
10 x 4.5 x 15mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
Japan
Detalii produs
PNP Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse