N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK30E06N1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Dimensiune celula
TK
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Latime
4.45mm
Transistor Material
Si
Inaltime
15.1mm
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,94
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 1,119
Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 0,94
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 1,119
Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,94 | € 4,70 |
| 50 - 120 | € 0,82 | € 4,10 |
| 125 - 245 | € 0,77 | € 3,85 |
| 250 - 495 | € 0,69 | € 3,45 |
| 500+ | € 0,63 | € 3,15 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Dimensiune celula
TK
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Latime
4.45mm
Transistor Material
Si
Inaltime
15.1mm
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse