MOSFET Transistor Toshiba TK100A10N1,S4X(S

Nr. stoc RS: 827-6094PProducator: ToshibaCod de producator: TK100A10N1,S4X(S
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220SIS

Maximum Drain Source Resistance

3,8 mΩ

Maximum Power Dissipation

45 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC při 10 V

Tara de origine

China

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

MOSFET Transistor Toshiba TK100A10N1,S4X(S
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

MOSFET Transistor Toshiba TK100A10N1,S4X(S
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220SIS

Maximum Drain Source Resistance

3,8 mΩ

Maximum Power Dissipation

45 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC při 10 V

Tara de origine

China

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe