N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3K339R
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Latime
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Inaltime
0.7mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
Thailand
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,10
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,119
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,10
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,119
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,10 | € 300,00 |
| 6000 - 6000 | € 0,09 | € 270,00 |
| 9000+ | € 0,08 | € 240,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Latime
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Inaltime
0.7mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
Thailand
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse