Toshiba GT50JR22 IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Maximum Power Dissipation
230 W
Tip pachet
TO-3P
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
15.5 x 4.5 x 20mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Tara de origine
Japan
Detalii produs
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 115,75
€ 4,63 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 137,74
€ 5,51 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
€ 115,75
€ 4,63 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 137,74
€ 5,51 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Maximum Power Dissipation
230 W
Tip pachet
TO-3P
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
15.5 x 4.5 x 20mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Tara de origine
Japan
Detalii produs
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse