Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 1.2 to 3.0mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

Nr. stoc RS: 760-3126PProducator: ToshibaCod de producator: 2SK209-Y(TE85L,F)
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3.0mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-346 (SC-59)

Numar pini

3

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Lungime

2.9mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Latime

1.5mm

Detalii produs

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,41

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 0,488

Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 1.2 to 3.0mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
Selectati tipul de ambalaj

€ 0,41

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 0,488

Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 1.2 to 3.0mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Rola
10 - 90€ 0,41€ 4,10
100+€ 0,25€ 2,50

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3.0mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-346 (SC-59)

Numar pini

3

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Lungime

2.9mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Latime

1.5mm

Detalii produs

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe