Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 1.2 to 3.0mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3.0mA
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-346 (SC-59)
Numar pini
3
Dimensiuni
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Lungime
2.9mm
Temperatura maxima de lucru
+125 °C
Latime
1.5mm
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,00
€ 0,30 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 3,63
€ 0,363 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 3,00
€ 0,30 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 3,63
€ 0,363 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3.0mA
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-346 (SC-59)
Numar pini
3
Dimensiuni
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Lungime
2.9mm
Temperatura maxima de lucru
+125 °C
Latime
1.5mm
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse