Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

Name: Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
Brand: Toshiba
SKU: 7603123P
Availability: LimitedAvailability

Nr. stoc RS: 760-3123PProducator: ToshibaCod de producator: 2SK208-R(TE85L,F)

Vezi toate produsele din Tranzistoare JFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

Idss Drain-Source Cut-off Current

0.3 to 0.75mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-346 (SC-59)

Numar pini

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Inaltime

1.1mm

Latime

1.5mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Lungime

2.9mm

Detalii produs

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

€ 22,00

€ 0,22 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 26,62

€ 0,266 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

100

€ 22,00

€ 0,22 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 26,62

€ 0,266 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

100

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Cantitate	Pret unitar	Per Rola
100 - 190	€ 0,22	€ 2,20
200 - 390	€ 0,19	€ 1,90
400+	€ 0,19	€ 1,90

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse

Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

Idss Drain-Source Cut-off Current

0.3 to 0.75mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-346 (SC-59)

Numar pini

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Inaltime

1.1mm

Latime

1.5mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Lungime

2.9mm

Detalii produs

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.