Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

Name: Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
Brand: Toshiba
SKU: 7603123
Availability: LimitedAvailability

Nr. stoc RS: 760-3123Producator: ToshibaCod de producator: 2SK208-R(TE85L,F)

Vezi toate produsele din Tranzistoare JFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

Idss Drain-Source Cut-off Current

0.3 to 0.75mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-346 (SC-59)

Numar pini

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Inaltime

1.1mm

Latime

1.5mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Lungime

2.9mm

Detalii produs

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,16

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 0,19

Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

Selectati tipul de ambalaj

Standard

€ 0,16

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 0,19

Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

Informatii indisponibile despre stoc

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse

Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

Idss Drain-Source Cut-off Current

0.3 to 0.75mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-346 (SC-59)

Numar pini

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Inaltime

1.1mm

Latime

1.5mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Lungime

2.9mm

Detalii produs

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.