Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

Nr. stoc RS: 760-3123Producator: ToshibaCod de producator: 2SK208-R(TE85L,F)
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

0.3 to 0.75mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-346 (SC-59)

Numar pini

3

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Inaltime

1.1mm

Latime

1.5mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Lungime

2.9mm

Detalii produs

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 3,20

€ 0,32 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 3,81

€ 0,381 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,20

€ 0,32 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 3,81

€ 0,381 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 0,32€ 3,20
100 - 190€ 0,21€ 2,10
200 - 390€ 0,19€ 1,90
400+€ 0,19€ 1,90

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

0.3 to 0.75mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-346 (SC-59)

Numar pini

3

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Inaltime

1.1mm

Latime

1.5mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Lungime

2.9mm

Detalii produs

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe