N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16413Q5A

Nr. stoc RS: 162-8534Producator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD16413Q5A
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Tip pachet

SON

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +16 V

Latime

5mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Dimensiune celula

NexFET

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Tara de origine

Malaysia

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16413Q5A

2500

Disponibil in multiplu de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16413Q5A
Informatii indisponibile despre stoc

2500

Disponibil in multiplu de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Tip pachet

SON

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +16 V

Latime

5mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Dimensiune celula

NexFET

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Tara de origine

Malaysia

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe