N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM230N06CP ROG

Nr. stoc RS: 171-3617Producator: Taiwan SemiconductorCod de producator: TSM230N06CP ROG
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

28 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

53 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

5.8mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Inaltime

2.3mm

Forward Diode Voltage

1V

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,26

Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 0,309

Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM230N06CP ROG

€ 0,26

Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 0,309

Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM230N06CP ROG
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

28 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

53 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

5.8mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Inaltime

2.3mm

Forward Diode Voltage

1V

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe