N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM090N03CP ROG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Inaltime
2.3mm
Forward Diode Voltage
1V
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,34
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,405
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
€ 0,34
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,405
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 50 | € 0,34 | € 8,50 |
| 75 - 125 | € 0,29 | € 7,25 |
| 150 - 475 | € 0,25 | € 6,25 |
| 500+ | € 0,22 | € 5,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Inaltime
2.3mm
Forward Diode Voltage
1V
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse