Taiwan Semiconductor BC546A A1 NPN Transistor, 100 mA, 65 V, 3-Pin TO-92
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Taiwan SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
500 mW
Minimum DC Current Gain
110
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
5.1 x 4.1 x 4.7mm
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Detalii produs
Small Signal NPN Transistors, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 15,00
€ 0,06 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 18,15
€ 0,073 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Banda)
250
€ 15,00
€ 0,06 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 18,15
€ 0,073 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Banda)
250
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Taiwan SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
500 mW
Minimum DC Current Gain
110
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
5.1 x 4.1 x 4.7mm
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Detalii produs
Small Signal NPN Transistors, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse