N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N60DM6
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
15.75mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 4,16
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 4,95
Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
€ 4,16
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 4,95
Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,16 | € 8,32 |
| 10 - 18 | € 3,77 | € 7,54 |
| 20 - 48 | € 3,54 | € 7,08 |
| 50 - 98 | € 3,31 | € 6,62 |
| 100+ | € 3,12 | € 6,24 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
15.75mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse