N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N60DM6
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Latime
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15.75mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 3,65
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 4,344
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 3,65
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 4,344
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,65 | € 182,50 |
| 100 - 200 | € 3,07 | € 153,50 |
| 250 - 450 | € 2,89 | € 144,50 |
| 500 - 950 | € 2,59 | € 129,50 |
| 1000+ | € 2,34 | € 117,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Latime
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15.75mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse