N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP120NF10

Nr. stoc RS: 687-5295Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP120NF10
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Dimensiune celula

STripFET II

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

10.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

312 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

172 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.4mm

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

9.15mm

Detalii produs

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 1,44

Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 1,714

Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP120NF10
Selectati tipul de ambalaj

€ 1,44

Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 1,714

Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP120NF10
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Dimensiune celula

STripFET II

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

10.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

312 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

172 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.4mm

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

9.15mm

Detalii produs

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe