N-Channel MOSFET, 4 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 STMicroelectronics STN3NF06L
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Dimensiune celula
STripFET
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.8mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,22
Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)
€ 0,262
Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)
4000
€ 0,22
Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)
€ 0,262
Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)
4000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Dimensiune celula
STripFET
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.8mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse