N-Channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 600 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 HV STMicroelectronics STL10N60M6
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
PowerFLAT 5 x 6 HV
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
660 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Latime
5mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Inaltime
0.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,96
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1,142
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,96
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1,142
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
PowerFLAT 5 x 6 HV
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
660 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Latime
5mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Inaltime
0.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse