STMicroelectronics STGWT80H65DFB, Type N-Channel IGBT 650 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
469W
Tip pachet
TO-3P
Montare
Through Hole
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Temperatura maxima de lucru
175°C
Serie
HB
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 29,80
€ 5,96 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 36,06
€ 7,21 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
5
€ 29,80
€ 5,96 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 36,06
€ 7,21 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
5
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 5 - 9 | € 5,96 |
| 10 - 24 | € 5,31 |
| 25 - 49 | € 4,74 |
| 50+ | € 4,45 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
469W
Tip pachet
TO-3P
Montare
Through Hole
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Temperatura maxima de lucru
175°C
Serie
HB
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse