STMicroelectronics STGW80H65DFB, Type N-Channel IGBT 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Nr. stoc RS: 792-5814Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STGW80H65DFB
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

469W

Tip pachet

TO-247

Montare

Through Hole

Channel Type

Type N

Numar pini

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Temperatura maxima de lucru

175°C

Inaltime

20.15mm

Standards/Approvals

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Serie

H

Automotive Standard

No

Detalii produs

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 5,42

€ 5,42 Buc. (fara TVA)

€ 6,56

€ 6,56 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics STGW80H65DFB, Type N-Channel IGBT 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 5,42
2€ 10,84
3€ 16,26
4€ 21,68
5€ 27,10
6€ 32,52
7€ 37,94
8€ 43,36
9€ 48,78
10€ 54,20
11€ 59,62
12€ 65,04
13€ 70,46
14€ 75,88
15€ 81,30

€ 5,42

€ 5,42 Buc. (fara TVA)

€ 6,56

€ 6,56 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics STGW80H65DFB, Type N-Channel IGBT 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 5,42
2€ 10,84
3€ 16,26
4€ 21,68
5€ 27,10
6€ 32,52
7€ 37,94
8€ 43,36
9€ 48,78
10€ 54,20
11€ 59,62
12€ 65,04
13€ 70,46
14€ 75,88
15€ 81,30

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

469W

Tip pachet

TO-247

Montare

Through Hole

Channel Type

Type N

Numar pini

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Temperatura maxima de lucru

175°C

Inaltime

20.15mm

Standards/Approvals

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Serie

H

Automotive Standard

No

Detalii produs

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe