STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
20 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,16
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 1,38
Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 1,16
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 1,38
Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,16 | € 5,80 |
| 25 - 45 | € 1,06 | € 5,30 |
| 50 - 120 | € 0,95 | € 4,75 |
| 125 - 245 | € 0,84 | € 4,20 |
| 250+ | € 0,80 | € 4,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
20 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse