STMicroelectronics STGD5NB120SZT4, Type N-Channel IGBT, 5 A 1200 V, 3-Pin TO-252, Surface
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
5A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
1200V
Maximum Power Dissipation Pd
75W
Tip pachet
TO-252
Montare
Surface
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Switching Speed
690ns
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Latime
6.4 mm
Inaltime
2.2mm
Lungime
6.2mm
Standards/Approvals
JEDEC JESD97, ECOPACK
Serie
H
Energy Rating
12.68mJ
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 7,95
€ 1,59 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,62
€ 1,924 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 7,95
€ 1,59 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,62
€ 1,924 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,59 | € 7,95 |
| 25 - 45 | € 1,50 | € 7,50 |
| 50 - 120 | € 1,34 | € 6,70 |
| 125 - 245 | € 1,19 | € 5,95 |
| 250+ | € 1,12 | € 5,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
5A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
1200V
Maximum Power Dissipation Pd
75W
Tip pachet
TO-252
Montare
Surface
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Switching Speed
690ns
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Latime
6.4 mm
Inaltime
2.2mm
Lungime
6.2mm
Standards/Approvals
JEDEC JESD97, ECOPACK
Serie
H
Energy Rating
12.68mJ
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse