STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 IGBT, 10 A 1200 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
10 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
75 W
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Energy Rating
12.68mJ
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Gate Capacitance
430pF
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,10
€ 1,62 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,80
€ 1,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 8,10
€ 1,62 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,80
€ 1,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,62 | € 8,10 |
| 25 - 45 | € 1,52 | € 7,60 |
| 50 - 120 | € 1,36 | € 6,80 |
| 125 - 245 | € 1,21 | € 6,05 |
| 250+ | € 1,14 | € 5,70 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
10 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
75 W
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Energy Rating
12.68mJ
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Gate Capacitance
430pF
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse