STMicroelectronics STGD5H60DF, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
10A
Product Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Tip pachet
TO-252
Montare
Surface
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
6.2 mm
Inaltime
2.4mm
Lungime
6.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
H
Energy Rating
221mJ
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 8,00
€ 0,80 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,68
€ 0,968 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 8,00
€ 0,80 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,68
€ 0,968 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,80 | € 8,00 |
| 50 - 90 | € 0,76 | € 7,60 |
| 100 - 240 | € 0,67 | € 6,70 |
| 250 - 490 | € 0,60 | € 6,00 |
| 500+ | € 0,57 | € 5,70 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
10A
Product Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Tip pachet
TO-252
Montare
Surface
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
6.2 mm
Inaltime
2.4mm
Lungime
6.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
H
Energy Rating
221mJ
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse