N-Channel MOSFET, 23 A, 100 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD15NF10T4
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Latime
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.4mm
Dimensiune celula
STripFET
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,69
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 0,821
Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 0,69
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 0,821
Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Latime
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.4mm
Dimensiune celula
STripFET
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse