STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

Nr. stoc RS: 215-226Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT018H65G3AG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

SCT

Tip pachet

H²PAK-7

Timp montare

Through Hole

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 33,74

€ 33,74 Buc. (fara TVA)

€ 40,83

€ 40,83 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG
Selectati tipul de ambalaj

€ 33,74

€ 33,74 Buc. (fara TVA)

€ 40,83

€ 40,83 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
1 - 9€ 33,74
10 - 99€ 30,07
100+€ 27,46

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

SCT

Tip pachet

H²PAK-7

Timp montare

Through Hole

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe