STMicroelectronics BUX87 NPN Transistor, 500 mA, 450 V, 3-Pin SOT-32
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Tip pachet
SOT-32
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1000 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Detalii produs
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Tip pachet
SOT-32
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1000 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Detalii produs
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse