STMicroelectronics BUL216 NPN Transistor, 4 A, 800 V, 3-Pin TO-220
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
9 W
Minimum DC Current Gain
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1600 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2,80
€ 2,80 Buc. (fara TVA)
€ 3,39
€ 3,39 Buc. (cu TVA)
1
€ 2,80
€ 2,80 Buc. (fara TVA)
€ 3,39
€ 3,39 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,80 |
| 10 - 99 | € 2,34 |
| 100 - 249 | € 1,81 |
| 250 - 499 | € 1,76 |
| 500+ | € 1,53 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
9 W
Minimum DC Current Gain
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1600 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse