Semikron SK45GD063, SEMITOP3 , N-Channel Hex IGBT Transistor Module, 45 A max, 600 V, Through Hole

Nr. stoc RS: 125-1109Producator: SemikronCod de producator: SK45GD063
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Semikron

Maximum Continuous Collector Current

45 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

6

Tip pachet

SEMITOP3

Configuration

Hex

Montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

36

Transistor Configuration

Six Pack

Dimensiuni

55 x 31 x 12mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-40 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Tara de origine

Italy

Detalii produs

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Semikron SK45GD063, SEMITOP3 , N-Channel Hex IGBT Transistor Module, 45 A max, 600 V, Through Hole

1

Disponibil in multiplu de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Semikron SK45GD063, SEMITOP3 , N-Channel Hex IGBT Transistor Module, 45 A max, 600 V, Through Hole
Informatii indisponibile despre stoc

1

Disponibil in multiplu de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Semikron

Maximum Continuous Collector Current

45 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

6

Tip pachet

SEMITOP3

Configuration

Hex

Montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

36

Transistor Configuration

Six Pack

Dimensiuni

55 x 31 x 12mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-40 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Tara de origine

Italy

Detalii produs

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe