ROHM RTR030P02 P-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 3-Pin TSMT RQ5C030TPTL

Nr. stoc RS: 124-6833Producator: ROHMCod de producator: RQ5C030TPTL
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Serie

RTR030P02

Tip pachet

TSMT

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

125 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Maximum Power Dissipation

1 W

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

1.6mm

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.3 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

0.85mm

Detalii produs

P-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

ROHM RTR030P02 P-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 3-Pin TSMT RQ5C030TPTL

20

Disponibil in multiplu de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

ROHM RTR030P02 P-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 3-Pin TSMT RQ5C030TPTL

Informatii despre stoc temporar indisponibile

20

Disponibil in multiplu de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Serie

RTR030P02

Tip pachet

TSMT

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

125 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Maximum Power Dissipation

1 W

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

1.6mm

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.3 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

0.85mm

Detalii produs

P-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe