ROHM RGT40NS65DGC9, P-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMMaximum Continuous Collector Current
40 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30V
Maximum Power Dissipation
161 W
Number of Transistors
1
Tip pachet
TO-262
Timp montare
Through Hole
Channel Type
P
Numar pini
3+Tab
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.1 x 4.5 x 9mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Gate Capacitance
1070pF
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMMaximum Continuous Collector Current
40 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30V
Maximum Power Dissipation
161 W
Number of Transistors
1
Tip pachet
TO-262
Timp montare
Through Hole
Channel Type
P
Numar pini
3+Tab
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.1 x 4.5 x 9mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Gate Capacitance
1070pF
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse