Dual P-Channel MOSFET, 5 A, 20 V, 8-Pin TSMT ROHM QH8JA1TCR

Nr. stoc RS: 178-5842Producator: ROHMCod de producator: QH8JA1TCR
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Dimensiune celula

QH8JA1

Tip pachet

TSMT

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

77 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Maximum Gate Source Voltage

±10 V

Latime

2.5mm

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10.2 nC @ 4.5 V (N Channel)

Inaltime

0.8mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tara de origine

Japan

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 5 A, 20 V, 8-Pin TSMT ROHM QH8JA1TCR

20

Disponibil in multiplu de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 5 A, 20 V, 8-Pin TSMT ROHM QH8JA1TCR
Informatii indisponibile despre stoc

20

Disponibil in multiplu de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Dimensiune celula

QH8JA1

Tip pachet

TSMT

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

77 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Maximum Gate Source Voltage

±10 V

Latime

2.5mm

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10.2 nC @ 4.5 V (N Channel)

Inaltime

0.8mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tara de origine

Japan

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe