ROHM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 180 A, 1200 V, 4-Pin C BSM180D12P3C007

Nr. stoc RS: 144-2259Producator: ROHMCod de producator: BSM180D12P3C007
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

BSM

Tip pachet

c

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

880 W

Number of Elements per Chip

2

Latime

45.6mm

Lungime

122mm

Transistor Material

SiC

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Inaltime

17mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 670,71

€ 670,71 Buc. (fara TVA)

€ 798,14

€ 798,14 Buc. (cu TVA)

ROHM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 180 A, 1200 V, 4-Pin C BSM180D12P3C007

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 670,71
2€ 1.341,42
3€ 2.012,13
4€ 2.682,84
5€ 3.353,55
6€ 4.024,26
7€ 4.694,97
8€ 5.365,68
9€ 6.036,39
10€ 6.707,10
11€ 7.377,81
12€ 8.048,52
13€ 8.719,23
14€ 9.389,94
15€ 10.060,65

€ 670,71

€ 670,71 Buc. (fara TVA)

€ 798,14

€ 798,14 Buc. (cu TVA)

ROHM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 180 A, 1200 V, 4-Pin C BSM180D12P3C007
Informatii indisponibile despre stoc

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 670,71
2€ 1.341,42
3€ 2.012,13
4€ 2.682,84
5€ 3.353,55
6€ 4.024,26
7€ 4.694,97
8€ 5.365,68
9€ 6.036,39
10€ 6.707,10
11€ 7.377,81
12€ 8.048,52
13€ 8.719,23
14€ 9.389,94
15€ 10.060,65

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

BSM

Tip pachet

c

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

880 W

Number of Elements per Chip

2

Latime

45.6mm

Lungime

122mm

Transistor Material

SiC

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Inaltime

17mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe