ROHM 2SC5661T2L NPN Transistor, 50 mA, 20 V, 3-Pin SOT-723
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-723
Montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Minimum DC Current Gain
82
Transistor Configuration
Common Emitter
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
3 V
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
1.2 x 0.8 x 0.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
RF Bipolar Transistors, ROHM
Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,12
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,143
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
50
€ 0,12
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,143
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,12 | € 6,00 |
| 250 - 450 | € 0,10 | € 5,00 |
| 500 - 2450 | € 0,09 | € 4,50 |
| 2500 - 4950 | € 0,08 | € 4,00 |
| 5000+ | € 0,08 | € 4,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-723
Montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Minimum DC Current Gain
82
Transistor Configuration
Common Emitter
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
3 V
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
1.2 x 0.8 x 0.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
RF Bipolar Transistors, ROHM
Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse