Renesas Electronics RJH65T14DPQ-A0#T0 IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247A, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Renesas ElectronicsMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Maximum Power Dissipation
250 W
Tip pachet
TO-247A
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Gate Capacitance
1750pF
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Renesas ElectronicsMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Maximum Power Dissipation
250 W
Tip pachet
TO-247A
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Gate Capacitance
1750pF
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse