Renesas Electronics RJH60F5DPQ-A0#T0 IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247A, Through Hole

Nr. stoc RS: 124-3702Producator: Renesas ElectronicsCod de producator: RJH60F5DPQ-A0#T0
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

260.4 W

Tip pachet

TO-247A

Montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

15.94 x 5.02 x 21.13mm

Gate Capacitance

2780pF

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Detalii produs

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Renesas Electronics RJH60F5DPQ-A0#T0 IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247A, Through Hole

P.O.A.

Renesas Electronics RJH60F5DPQ-A0#T0 IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247A, Through Hole
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

260.4 W

Tip pachet

TO-247A

Montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

15.94 x 5.02 x 21.13mm

Gate Capacitance

2780pF

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Detalii produs

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe