Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Renesas ElectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
30 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
8 V
Tip pachet
SOIC
Tip montare
Surface Mount
Transistor Configuration
Complex
Maximum Collector Base Voltage
12 V
Maximum Emitter Base Voltage
5.5 V
Maximum Operating Frequency
10000 MHz
Numar pini
8
Number of Elements per Chip
6
Temperatura maxima de lucru
+85 °C
Dimensiuni
1.5 x 5 x 4mm
Detalii produs
Gilbert Cell UHF Transistor Arrays, Intersil
Bipolar Transistors, Intersil
Informatii despre stoc temporar indisponibile
P.O.A.
Impachetare pentru productie (Tub)
1
P.O.A.
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Renesas ElectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
30 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
8 V
Tip pachet
SOIC
Tip montare
Surface Mount
Transistor Configuration
Complex
Maximum Collector Base Voltage
12 V
Maximum Emitter Base Voltage
5.5 V
Maximum Operating Frequency
10000 MHz
Numar pini
8
Number of Elements per Chip
6
Temperatura maxima de lucru
+85 °C
Dimensiuni
1.5 x 5 x 4mm
Detalii produs


