N-Channel MOSFET, 89 A, 30 V, 8-Pin HSO8-F4-B Panasonic SK8603150L

Nr. stoc RS: 787-7649Producator: PanasonicCod de producator: SK8603150L
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Panasonic

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

HSO8-F4-B

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

2.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

34 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+85 °C

Lungime

4.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 4.5 V

Latime

5.9mm

Transistor Material

Si

Dimensiune celula

SK

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Inaltime

0.95mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 89 A, 30 V, 8-Pin HSO8-F4-B Panasonic SK8603150L
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 89 A, 30 V, 8-Pin HSO8-F4-B Panasonic SK8603150L
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Panasonic

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

HSO8-F4-B

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

2.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

34 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+85 °C

Lungime

4.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 4.5 V

Latime

5.9mm

Transistor Material

Si

Dimensiune celula

SK

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Inaltime

0.95mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe