Dual P-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V, 8-Pin SOT-28FL, VEC8 onsemi VEC2315-TL-W

Nr. stoc RS: 121-7891Producator: onsemiCod de producator: VEC2315-TL-W
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-28FL, VEC8

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

194 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Latime

2.3mm

Lungime

2.9mm

Number of Elements per Chip

2

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

0.73mm

Tara de origine

China

Detalii produs

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V, 8-Pin SOT-28FL, VEC8 onsemi VEC2315-TL-W
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V, 8-Pin SOT-28FL, VEC8 onsemi VEC2315-TL-W
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-28FL, VEC8

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

194 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Latime

2.3mm

Lungime

2.9mm

Number of Elements per Chip

2

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

0.73mm

Tara de origine

China

Detalii produs

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe