onsemi TF412SG N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin SOT-883
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-883
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
4pF
Dimensiuni
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Lungime
1.08mm
Inaltime
0.41mm
Maximum Power Dissipation
100 mW
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
0.68mm
Detalii produs
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,21
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,25
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
50
€ 0,21
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,25
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,21 | € 10,50 |
| 250 - 950 | € 0,10 | € 5,00 |
| 1000 - 2450 | € 0,08 | € 4,00 |
| 2500+ | € 0,08 | € 4,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-883
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
4pF
Dimensiuni
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Lungime
1.08mm
Inaltime
0.41mm
Maximum Power Dissipation
100 mW
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
0.68mm
Detalii produs
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse