P-Channel MOSFET, 100 A, 75 V, 3-Pin D2PAK onsemi SMP3003-DL-1E

Nr. stoc RS: 124-5430Producator: onsemiCod de producator: SMP3003-DL-1E
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

11 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.6V

Maximum Power Dissipation

90 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

9.2mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

280 nC @ 10 V

Inaltime

4.5mm

Tara de origine

Korea, Republic Of

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 100 A, 75 V, 3-Pin D2PAK onsemi SMP3003-DL-1E

800

Disponibil in multiplu de 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 100 A, 75 V, 3-Pin D2PAK onsemi SMP3003-DL-1E
Informatii indisponibile despre stoc

800

Disponibil in multiplu de 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

11 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.6V

Maximum Power Dissipation

90 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

9.2mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

280 nC @ 10 V

Inaltime

4.5mm

Tara de origine

Korea, Republic Of

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe