Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
160 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
160 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
China
P.O.A.
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
3000
P.O.A.
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
160 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
160 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
China


