N-Channel MOSFET, 35 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 onsemi NVMYS011N04CTWG

Nr. stoc RS: 195-2547Producator: onsemiCod de producator: NVMYS011N04CTWG
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

12 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

28 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

4.25mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.9 nC @ 10 V

Inaltime

1.15mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,37

Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 0,44

Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 35 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 onsemi NVMYS011N04CTWG

€ 0,37

Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 0,44

Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 35 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 onsemi NVMYS011N04CTWG
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

12 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

28 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

4.25mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.9 nC @ 10 V

Inaltime

1.15mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe