N-Channel MOSFET, 203 A, 80 V, 5-Pin DFN onsemi NVMFS6H800NT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
203 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
DFN
Montare
Surface Mount
Numar pini
5
Maximum Drain Source Resistance
2.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
6.1mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Inaltime
1.05mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
Malaysia
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2,47
Buc. (Pe o rola de 1500) (fara TVA)
€ 2,939
Buc. (Pe o rola de 1500) (cu TVA)
1500
€ 2,47
Buc. (Pe o rola de 1500) (fara TVA)
€ 2,939
Buc. (Pe o rola de 1500) (cu TVA)
1500
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
203 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
DFN
Montare
Surface Mount
Numar pini
5
Maximum Drain Source Resistance
2.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
6.1mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Inaltime
1.05mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
Malaysia
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse