N-Channel MOSFET, 83 A, 40 V, 3-Pin DPAK onsemi NVD5C454NT4G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
83 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Inaltime
2.25mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
Vietnam
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,92
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1,095
Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 0,92
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1,095
Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
83 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Inaltime
2.25mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
Vietnam
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse