N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4503NT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.01mm
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,34
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,405
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
€ 0,34
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,405
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,34 | € 8,50 |
| 125 - 475 | € 0,15 | € 3,75 |
| 500 - 1225 | € 0,14 | € 3,50 |
| 1250+ | € 0,12 | € 3,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.01mm
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse