P-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4171PG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.01mm
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,36
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,428
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
25
€ 0,36
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,428
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,36 | € 9,00 |
| 50 - 100 | € 0,34 | € 8,50 |
| 125 - 225 | € 0,33 | € 8,25 |
| 250 - 475 | € 0,32 | € 8,00 |
| 500+ | € 0,31 | € 7,75 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.01mm
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse