onsemi N-Channel MOSFET, 560 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4003NT3G

Nr. stoc RS: 780-4742PProducator: onsemiCod de producator: NTR4003NT3G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

560 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

830 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

29 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 55,00

€ 0,11 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 66,55

€ 0,133 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 560 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4003NT3G
Selectati tipul de ambalaj

€ 55,00

€ 0,11 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 66,55

€ 0,133 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 560 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4003NT3G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
500 - 950€ 0,11€ 5,50
1000 - 2450€ 0,09€ 4,50
2500 - 4950€ 0,08€ 4,00
5000+€ 0,07€ 3,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

560 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

830 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

29 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe