N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTPF082N65S3F
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Latime
4.9mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
16.12mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 5,98
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 7,116
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 5,98
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 7,116
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 5,98 | € 299,00 |
| 100+ | € 5,50 | € 275,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Latime
4.9mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
16.12mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse