P-Channel MOSFET, 870 mA, 20 V, 3-Pin SOT-723 onsemi NTK3139PG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-723
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
550 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
1.25mm
Latime
0.85mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
0.55mm
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,18
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,214
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
50
€ 0,18
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,214
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,18 | € 9,00 |
| 250+ | € 0,07 | € 3,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-723
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
550 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
1.25mm
Latime
0.85mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
0.55mm
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse